近日，長(zhǎng)電科技在射頻集成無(wú)源器件（IPD）領(lǐng)域取得重要突破，成功完成基于玻璃通孔（TGV）結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級(jí)驗(yàn)證。通過(guò)試制測(cè)試結(jié)構(gòu)并進(jìn)行實(shí)測(cè)評(píng)估，該公司證實(shí)了玻璃基底上三維集成無(wú)源器件的可制造性，并展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢(shì)。這一成果為5G及未來(lái)6G通信所需的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級(jí)封裝優(yōu)化開(kāi)辟了新的工程化路徑。

在技術(shù)實(shí)現(xiàn)層面，長(zhǎng)電科技以TGV技術(shù)構(gòu)建三維互連骨架，在玻璃基板上集成電感、電容等關(guān)鍵無(wú)源元件，并將傳統(tǒng)平面電感升級(jí)為三維結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)有效降低了高頻損耗，同時(shí)顯著提升了器件品質(zhì)因數(shù)（Q值）。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，在相同電感值條件下，三維電感的Q值較平面結(jié)構(gòu)提升近50%，且整體性能優(yōu)于硅基IPD技術(shù)路線。這一突破為射頻模組的小型化、高集成度設(shè)計(jì)提供了切實(shí)可行的工程方向。

面對(duì)5G向6G演進(jìn)過(guò)程中對(duì)射頻系統(tǒng)帶寬、線性度和集成度的持續(xù)升級(jí)需求，長(zhǎng)電科技依托多年技術(shù)積累，已構(gòu)建起覆蓋射頻功率放大器（PA）、射頻前端（RFFE）模組及毫米波應(yīng)用的完整封裝測(cè)試能力。其技術(shù)體系支持系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、天線集成封裝（AiP）等多種形態(tài)，涵蓋共形封裝、分腔設(shè)計(jì)及選擇性濺射屏蔽等工藝，并具備5G、毫米波、窄帶物聯(lián)網(wǎng)（NB-IoT）及高速信號(hào)測(cè)試能力。公司還提供射頻系統(tǒng)仿真與封裝協(xié)同設(shè)計(jì)服務(wù)，配套建設(shè)了一站式驗(yàn)證測(cè)試平臺(tái)，覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩及無(wú)線通信等領(lǐng)域，可支撐客戶完成從芯片到整機(jī)全鏈條的驗(yàn)證導(dǎo)入。

長(zhǎng)電科技副總裁、技術(shù)服務(wù)事業(yè)部總經(jīng)理吳伯平透露，公司正加速推進(jìn)玻璃基TGV與PSPI晶圓級(jí)IPD技術(shù)在射頻系統(tǒng)級(jí)封裝中的工程化落地。通過(guò)與頭部客戶及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的深度協(xié)同創(chuàng)新，長(zhǎng)電科技計(jì)劃開(kāi)展聯(lián)合開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證工作，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)向規(guī)模化量產(chǎn)邁進(jìn)。這一戰(zhàn)略布局旨在為下一代邊緣計(jì)算設(shè)備和無(wú)線連接系統(tǒng)提供更高性能、更高集成度的解決方案，滿足人工智能算力芯片迭代與6G通信前瞻布局的技術(shù)需求。