存儲芯片行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士近日宣布，將在即將開幕的2026年國際消費(fèi)電子展（CES）上，重點(diǎn)展示其面向人工智能時代研發(fā)的下一代存儲解決方案。此次參展陣容涵蓋高帶寬內(nèi)存、低功耗內(nèi)存模塊及NAND閃存三大核心產(chǎn)品線，其中16層堆疊的48GB HBM4和321層2Tb QLC產(chǎn)品尤為引人注目。

作為HBM領(lǐng)域的突破性成果，16層堆疊的48GB HBM4將首次公開亮相。這款產(chǎn)品基于現(xiàn)有12層36GB HBM4的技術(shù)基礎(chǔ)升級而來，后者目前保持著11.7 Gbps的行業(yè)最快傳輸速率。雖然具體參數(shù)尚未公布，但業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期其性能將實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。展會期間，SK海力士還將聯(lián)合客戶展示搭載HBM3E的AI服務(wù)器GPU模塊，直觀呈現(xiàn)內(nèi)存解決方案在AI系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用。

針對AI服務(wù)器市場，SK海力士推出了專為低功耗設(shè)計(jì)的SOCAMM2內(nèi)存模塊。該產(chǎn)品與最新一代LPDDR6形成組合拳，后者在數(shù)據(jù)處理速度和能效方面較前代產(chǎn)品均有顯著提升，特別適用于設(shè)備端AI應(yīng)用場景。這種多元化的產(chǎn)品布局，旨在全面應(yīng)對AI服務(wù)器市場快速增長的需求。

在NAND閃存領(lǐng)域，321層2Tb QLC產(chǎn)品將成為另一大亮點(diǎn)。這款專為超高容量eSSD優(yōu)化的產(chǎn)品，通過業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的集成技術(shù)，在能效和性能方面較上一代實(shí)現(xiàn)大幅提升。其低功耗特性使其在人工智能數(shù)據(jù)中心快速擴(kuò)張的背景下，展現(xiàn)出獨(dú)特的競爭優(yōu)勢。

為完整呈現(xiàn)AI生態(tài)系統(tǒng)，SK海力士特別設(shè)立"人工智能系統(tǒng)演示區(qū)"。參觀者將通過互動體驗(yàn)，直觀了解cHBM、基于PIM的AiMX、內(nèi)存內(nèi)計(jì)算技術(shù)CuD、集成計(jì)算能力的CMM-Ax以及數(shù)據(jù)感知CSD等創(chuàng)新解決方案如何協(xié)同工作。這些針對特定AI芯片或系統(tǒng)優(yōu)化的技術(shù)，共同構(gòu)建起覆蓋全場景的AI內(nèi)存生態(tài)體系。