在第三代半導(dǎo)體與微顯示技術(shù)的融合創(chuàng)新賽道上，我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)近日攻克了一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，成功實(shí)現(xiàn)異質(zhì)異構(gòu)三維集成技術(shù)的重大突破。這一成果以蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司為技術(shù)載體，通過(guò)自主研發(fā)的8寸硅基氮化鎵LED外延工藝與無(wú)損去硅技術(shù)，構(gòu)建起與主流CMOS工藝深度兼容的Micro-LED量產(chǎn)平臺(tái)，為AR/VR/MR等近眼顯示設(shè)備的規(guī)?；瘧?yīng)用掃清了核心障礙。

作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，氮化鎵（GaN）在Micro-LED微顯示技術(shù)中扮演著"發(fā)光引擎"的角色。然而，如何將氮化鎵發(fā)光單元與硅基CMOS驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)高效集成，一直是制約行業(yè)發(fā)展的技術(shù)鴻溝。傳統(tǒng)方案因材料體系差異導(dǎo)致三維異構(gòu)集成困難，直接影響了近眼顯示產(chǎn)品的像素密度、能耗表現(xiàn)及量產(chǎn)可行性。此次技術(shù)突破通過(guò)創(chuàng)新性的工藝路徑，首次打通了不同材料體系間的三維集成通道，標(biāo)志著我國(guó)在Micro-LED產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域取得里程碑式進(jìn)展。

該量產(chǎn)平臺(tái)以"超越摩爾GaN Plus"技術(shù)體系為核心，構(gòu)建了從氮化鎵外延生長(zhǎng)、無(wú)損去硅、薄膜集成到CMOS工藝適配的全鏈條制造能力。通過(guò)自主研發(fā)的晶圓級(jí)無(wú)損去硅技術(shù)，團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)8寸硅片上氮化鎵薄膜的完整剝離與亞微米級(jí)精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移，進(jìn)而完成發(fā)光陣列與驅(qū)動(dòng)芯片的晶圓級(jí)鍵合協(xié)同制造。所有工藝參數(shù)均嚴(yán)格對(duì)標(biāo)8寸CMOS產(chǎn)線標(biāo)準(zhǔn)，確保了與現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施的無(wú)縫銜接。

技術(shù)突破帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)價(jià)值正在逐步顯現(xiàn)。平臺(tái)現(xiàn)已具備紅、藍(lán)、綠全波段發(fā)光結(jié)構(gòu)制備能力，可支撐開(kāi)發(fā)像素密度超萬(wàn)PPI的微顯示器件。這種高集成度方案不僅適用于近眼顯示設(shè)備，還能拓展至光通信、數(shù)字車燈、AI算力設(shè)備電源管理等新興領(lǐng)域。據(jù)技術(shù)團(tuán)隊(duì)介紹，通過(guò)三維集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)的器件體積較傳統(tǒng)方案縮小60%以上，能耗降低45%，為消費(fèi)電子產(chǎn)品的形態(tài)創(chuàng)新提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。