日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商Rapidus近日披露了其尖端制程研發(fā)的最新進(jìn)展。公司首席技術(shù)官石丸一成在接受《日經(jīng)XTECH》專訪時(shí)透露，通過(guò)優(yōu)化技術(shù)路線，Rapidus計(jì)劃將1nm制程節(jié)點(diǎn)與臺(tái)積電的差距從行業(yè)普遍預(yù)期的兩年以上縮短至半年左右。這一目標(biāo)建立在2nm工藝快速迭代的基礎(chǔ)上，顯示出該企業(yè)試圖在先進(jìn)制程領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)的野心。

回顧2nm制程的研發(fā)歷程，石丸一成坦言初期遭遇重大挑戰(zhàn)。2025年7月啟動(dòng)的GAA晶體管試制項(xiàng)目中，由于工藝設(shè)備調(diào)試與材料供應(yīng)鏈準(zhǔn)備不足，首批樣品性能未達(dá)預(yù)期。但通過(guò)持續(xù)技術(shù)攻關(guān)，該團(tuán)隊(duì)在去年第四季度實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展，晶體管密度與能效比顯著提升。目前Rapidus已制定明確時(shí)間表：2026年底開(kāi)始為客戶定制2nm測(cè)試芯片，2027年正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

在制程節(jié)點(diǎn)銜接方面，Rapidus采取"跨代開(kāi)發(fā)"策略。公司計(jì)劃于2026年全面啟動(dòng)1.4nm制程研發(fā)，該節(jié)點(diǎn)將作為2nm向1nm過(guò)渡的關(guān)鍵技術(shù)平臺(tái)。通過(guò)與IBM持續(xù)深化合作，Rapidus將整合雙方在納米片晶體管結(jié)構(gòu)、高K金屬柵極等領(lǐng)域的專利技術(shù)。值得注意的是，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)中超過(guò)半數(shù)工程師常駐紐約州奧爾巴尼納米技術(shù)中心，這種跨國(guó)協(xié)作模式為技術(shù)突破提供了重要支撐。

根據(jù)規(guī)劃，1.4nm制程將于2029年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，屆時(shí)Rapidus將同步推進(jìn)1nm制程的預(yù)研工作。石丸一成特別強(qiáng)調(diào)，通過(guò)采用新型材料體系與極紫外光刻（EUV）的深度優(yōu)化，新一代制程有望在晶體管微縮與功耗控制方面取得突破。不過(guò)他也承認(rèn)，要實(shí)現(xiàn)既定目標(biāo)仍需克服設(shè)備交付延遲、良率提升等現(xiàn)實(shí)挑戰(zhàn)。