SK海力士近日宣布，將在即將舉行的CES 2026展會(huì)上，以“AI技術(shù)創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來(lái)”為主題，舉辦一場(chǎng)盛大的技術(shù)展覽。此次展覽將集中展示該公司專(zhuān)為人工智能領(lǐng)域優(yōu)化的下一代存儲(chǔ)器解決方案，涵蓋從高性能計(jì)算到邊緣設(shè)備的全場(chǎng)景應(yīng)用。

在備受關(guān)注的高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域，SK海力士將首次公開(kāi)其最新研發(fā)成果——16層48GB HBM4。這款產(chǎn)品作為現(xiàn)有12層36GB HBM4的升級(jí)版本，在保持業(yè)界領(lǐng)先的11.7Gbps傳輸速率基礎(chǔ)上，通過(guò)增加堆疊層數(shù)實(shí)現(xiàn)了容量躍升。目前該產(chǎn)品正根據(jù)主要客戶(hù)的定制化需求穩(wěn)步推進(jìn)研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步鞏固SK海力士在AI存儲(chǔ)市場(chǎng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

為直觀呈現(xiàn)HBM技術(shù)在AI系統(tǒng)中的核心價(jià)值，展覽現(xiàn)場(chǎng)將同步展示搭載12層36GB HBM3E的全球客戶(hù)AI服務(wù)器GPU模塊。這款經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的解決方案，已成功應(yīng)用于多個(gè)超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心項(xiàng)目，其卓越的能效比和穩(wěn)定性獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可。通過(guò)實(shí)物展示與技術(shù)講解相結(jié)合的方式，參觀者可以深入了解HBM3E如何助力AI訓(xùn)練效率提升。

針對(duì)AI服務(wù)器對(duì)功耗控制的嚴(yán)苛要求，SK海力士特別推出了低功耗內(nèi)存模組SOCAMM2。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)架構(gòu)，在保持高性能輸出的同時(shí)，將功耗降低至行業(yè)領(lǐng)先水平。配合專(zhuān)為端側(cè)AI場(chǎng)景優(yōu)化的LPDDR6通用存儲(chǔ)器，形成覆蓋云端到終端的完整AI存儲(chǔ)解決方案矩陣。其中LPDDR6通過(guò)深度定制的接口協(xié)議和智能功耗管理技術(shù)，可滿(mǎn)足智能穿戴、自動(dòng)駕駛等邊緣計(jì)算場(chǎng)景的實(shí)時(shí)響應(yīng)需求。

在NAND閃存展區(qū)，321層2Tb QLC產(chǎn)品將成為焦點(diǎn)。這款專(zhuān)為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，通過(guò)垂直堆疊技術(shù)將單芯片容量提升至2Tb級(jí)別，在滿(mǎn)足海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的同時(shí)，通過(guò)優(yōu)化錯(cuò)誤校正算法和讀寫(xiě)平衡機(jī)制，顯著提升了QLC閃存的可靠性和耐久性。該產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著AI存儲(chǔ)正式進(jìn)入太比特時(shí)代，為大規(guī)模語(yǔ)言模型訓(xùn)練等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。