近日，科技領(lǐng)域迎來一則重磅合作消息，IBM與半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林（Lam Research）就亞1nm尖端邏輯制程的開發(fā)達(dá)成了為期5年的合作協(xié)議。此次合作將聚焦于新材料、先進(jìn)蝕刻/沉積工藝以及High NA EUV光刻的聯(lián)合開發(fā)，有望為半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的突破。

在合作中，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢。IBM奧爾巴尼園區(qū)具備先進(jìn)的研究能力，而泛林擁有端到端的工藝工具和創(chuàng)新技術(shù)。兩家企業(yè)將攜手構(gòu)建并驗證納米片和納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這一系列能力的打造，旨在將High NA EUV圖案可靠地轉(zhuǎn)移到實際器件層中，實現(xiàn)高良率，為未來邏輯器件的可行量產(chǎn)路徑提供支持，同時推動持續(xù)的微縮化和性能提升。

IBM半導(dǎo)體總經(jīng)理Mukesh Khare對這次合作充滿期待。他表示，十多年來，泛林一直是IBM的重要合作伙伴，在邏輯微縮和器件架構(gòu)方面取得了諸多關(guān)鍵突破。例如，納米片技術(shù)以及IBM于2021年發(fā)布的全球首款2nm節(jié)點芯片，都離不開泛林的貢獻(xiàn)。如今，雙方擴(kuò)大合作，共同應(yīng)對下一階段的挑戰(zhàn)，以實現(xiàn)高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)和1nm以下節(jié)點工藝，這無疑將推動半導(dǎo)體技術(shù)邁向新的高度。

泛林首席技術(shù)與可持續(xù)發(fā)展官Vahid Vahedi也發(fā)表了看法。他認(rèn)為，隨著行業(yè)進(jìn)入3D微縮的新時代，進(jìn)步的關(guān)鍵在于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術(shù)整合為一個單一的高密度系統(tǒng)。泛林很榮幸能夠與IBM在成功合作的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推動High NA EUV干式光刻膠和工藝的突破，加速開發(fā)低功耗、高性能晶體管，這對于當(dāng)下蓬勃發(fā)展的AI時代至關(guān)重要。