日本知名半導體制造商羅姆（ROHM）近日宣布，其成功研發出第五代碳化硅（SiC）MOSFET，這一成果標志著該公司在功率半導體領域的技術突破。相較于前代產品，新一代器件通過優化器件結構與制造工藝，在175℃結溫（Tj）條件下實現了導通電阻降低約30%的性能提升。
據羅姆介紹，第五代SiC MOSFET特別適用于高溫環境下的電力電子應用。在電動汽車（xEV）牽引逆變器等場景中，該產品可助力縮小系統體積并提高功率輸出效率。其低導通電阻特性也使其成為AI服務器電源、數據中心等工業設備電源的理想選擇，有助于提升能源轉換效率并降低系統散熱需求。
羅姆透露，公司計劃于2026年7月啟動第五代SiC MOSFET分立器件及模塊的樣品供應。為配合新產品推廣，羅姆將同步擴大產品陣容，完善設計工具鏈，并強化針對客戶應用設計的支持體系，以加速該技術在多領域的商業化落地。
