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三星電子:目標(biāo)到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

   發(fā)布時(shí)間:2022-10-21 15:36 作者:遠(yuǎn)洋

10 月 21 日消息,據(jù) BusinessKorea 報(bào)道,三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。

該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示,三星電子今年在世界范圍內(nèi)首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片,與 5 納米芯片相比,3 納米芯片的功耗降低了 45%,性能提高了 23%,面積減少了 16%。

三星電子還計(jì)劃不遺余力地?cái)U(kuò)大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力,其目標(biāo)是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此,這家芯片制造商正在推行“外殼優(yōu)先”戰(zhàn)略,即首先建造一個(gè)無(wú)塵室,然后在市場(chǎng)需求出現(xiàn)時(shí)靈活地運(yùn)營(yíng)該設(shè)施。

三星電子代工業(yè)務(wù)部總裁 Choi Si-young 稱:“我們正在韓國(guó)和美國(guó)經(jīng)營(yíng)五家工廠,我們已經(jīng)獲得了建造 10 多座工廠的場(chǎng)地。”

三星電子計(jì)劃在 2023 年推出第二代 3 納米工藝,在 2025 年開始量產(chǎn) 2 納米,在 2027 年推出 1.4 納米工藝,三星于 10 月 3 日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在舊金山首次披露這一技術(shù)路線圖。

 
 
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