三星電子近日宣布，其計劃于今年5月啟動首批符合客戶性能需求的HBM4E內(nèi)存樣品生產(chǎn)，為2027至2028年的大規(guī)模供應(yīng)奠定技術(shù)基礎(chǔ)。這一動態(tài)標志著三星在高端存儲芯片領(lǐng)域的持續(xù)突破，進一步鞏固其與行業(yè)頭部客戶的合作優(yōu)勢。

此前在NVIDIA英偉達GTC 2026技術(shù)展會上，三星曾公開演示HBM4E原型芯片，其單引腳數(shù)據(jù)傳輸速率達16Gbps，整體帶寬突破4.0TB/s。盡管該樣品當時被業(yè)界視為技術(shù)實力展示，但三星現(xiàn)已明確將量產(chǎn)時間表提上日程。據(jù)內(nèi)部人士透露，當前研發(fā)重點已轉(zhuǎn)向優(yōu)化工藝穩(wěn)定性，以滿足數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練等場景對高密度計算的嚴苛要求。

技術(shù)架構(gòu)方面，HBM4E延續(xù)了HBM4的1c nm DRAM核心層與4nm基礎(chǔ)邏輯層組合，但通過改進晶圓代工流程顯著提升了信號完整性。三星晶圓代工部門透露，將于5月中旬前完成首批性能驗證樣品的Base Die制造，隨后交付存儲業(yè)務(wù)部門進行3D堆疊封裝。這種垂直整合生產(chǎn)模式，可有效縮短從晶圓到成品芯片的交付周期。

行業(yè)分析師指出，HBM4E的量產(chǎn)將加劇全球存儲芯片市場競爭。隨著英偉達、AMD等客戶加速布局下一代AI加速器，高帶寬內(nèi)存的需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長。三星此次技術(shù)迭代不僅涉及制程升級，更通過優(yōu)化封裝接口降低功耗，這對需要長時間運行的大型語言模型訓(xùn)練場景具有重要價值。目前，SK海力士與美光科技也在推進類似產(chǎn)品研發(fā)，高端存儲市場的技術(shù)競賽已進入白熱化階段。