LG電子正全力投入高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）領(lǐng)域關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)工作。據(jù)行業(yè)消息，該公司正在開(kāi)發(fā)一款用于HBM的混合鍵合堆疊設(shè)備早期版本，這項(xiàng)技術(shù)對(duì)提升存儲(chǔ)器性能至關(guān)重要。

該項(xiàng)目由LG電子生產(chǎn)工程研究所（PRI）主導(dǎo)，于去年6月正式啟動(dòng)。在研發(fā)過(guò)程中，LG電子獲得了多方支持，其中Justem公司負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)該設(shè)備的系統(tǒng)部分。經(jīng)過(guò)數(shù)月的努力，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)已成功完成內(nèi)部測(cè)試的原型alpha版本，目前正處于概念驗(yàn)證階段。

混合鍵合工藝是該設(shè)備研發(fā)的核心環(huán)節(jié)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)正使用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的模塊和鍵合頭進(jìn)行密集測(cè)試，通過(guò)不斷優(yōu)化工藝參數(shù)，確保設(shè)備性能能夠達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。這種精細(xì)化的測(cè)試流程對(duì)于提升HBM的集成度和性能至關(guān)重要。

根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2029年完成全部研發(fā)工作，目標(biāo)精度設(shè)定為200納米。然而，這一精度指標(biāo)與當(dāng)前行業(yè)領(lǐng)先水平存在差距。據(jù)悉，Besi公司已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的同類(lèi)設(shè)備精度達(dá)到100納米。行業(yè)分析人士指出，這種精度差異可能會(huì)影響LG電子設(shè)備在三年后面世時(shí)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。